Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NVJD4152PT1G
onsemi

NVJD4152PT1G

Номер детали производителя NVJD4152PT1G
производитель onsemi
Подробное описание NVJD4152 - Dual P-Channel Trench
Упаковка SC-88/SC70-6/SOT-363
В наличии 528418 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1776
$0.066
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 528418 onsemi NVJD4152PT1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-88/SC70-6/SOT-363
Серии Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Мощность - Макс 272mW (Ta)
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 155pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
FET Характеристика Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 880mA (Ta)
конфигурация 2 P-Channel

Рекомендуемые продукты

NVJD4152PT1G DataSheet PDF

Ключевые слова для NVJD4152PT1G

Связанные детали для NVJD4152PT1G