Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NTTD1P02R2G
NTTD1P02R2G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTTD1P02R2G

Номер детали производителя NTTD1P02R2G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Упаковка 8-MSOP
В наличии 6080 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 06/Oct/2006onsemi REACHonsemi RoHSNTTD1P02R2
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6080 onsemi NTTD1P02R2G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-MSOP
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.45A, 4.5V
Мощность - Макс 500mW
Упаковка / 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 265pF @ 16V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.45A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта NTTD1

Рекомендуемые продукты

NTTD1P02R2G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTTD1P02R2G

Связанные детали для NTTD1P02R2G