Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTMTSC4D2N10GTXG
onsemi

NTMTSC4D2N10GTXG

Номер детали производителя NTMTSC4D2N10GTXG
производитель onsemi
Подробное описание 100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Упаковка 8-TDFNW (8.3x8.4)
В наличии 37423 pcs
Техническая спецификация NTMTSC4D2N10G
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$2.364 $2.124 $1.74 $1.481 $1.249
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 37423 onsemi NTMTSC4D2N10GTXG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 450µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-TDFNW (8.3x8.4)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 88A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.9W (Ta), 267W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount, Wettable Flank
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10450 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 159 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 21A (Ta), 178A (Tc)

Рекомендуемые продукты

NTMTSC4D2N10GTXG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTMTSC4D2N10GTXG

Связанные детали для NTMTSC4D2N10GTXG