Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTMSD6N303R2

Номер детали производителя NTMSD6N303R2
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 6168 pcs
Техническая спецификация onsemi RoHSonsemi REACHMultiple Devices 20/Aug/2008NTMSD6N303R2
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6168 onsemi NTMSD6N303R2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 950 pF @ 24 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Isolated)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A (Ta)
Базовый номер продукта NTMSD6

Рекомендуемые продукты

NTMSD6N303R2 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTMSD6N303R2

Связанные детали для NTMSD6N303R2