Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi

NTMFS4D2N10MDT1G

Номер детали производителя NTMFS4D2N10MDT1G
производитель onsemi
Подробное описание N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Упаковка 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
В наличии 60059 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHSNTMFS4D2N10MD
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.238 $1.111 $0.893 $0.734
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 60059 onsemi NTMFS4D2N10MDT1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 239µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 46A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN, 5 Leads
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3100 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 16.4A (Ta), 113A (Tc)

Рекомендуемые продукты

NTMFS4D2N10MDT1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTMFS4D2N10MDT1G

Связанные детали для NTMFS4D2N10MDT1G