Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NTMFD4C87NT1G
onsemi

NTMFD4C87NT1G

Номер детали производителя NTMFD4C87NT1G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Упаковка 8-DFN (5x6)
В наличии 5715 pcs
Техническая спецификация NTMFD4C87NMult Devices 31/Jan/2019onsemi REACHonsemi RoHSNTMFD4C85/6/7/8 09/Dec/2016
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5715 onsemi NTMFD4C87NT1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-DFN (5x6)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 30A, 10V
Мощность - Макс 1.1W
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1252pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 22.2nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11.7A, 14.9A
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Базовый номер продукта NTMFD4

Рекомендуемые продукты

NTMFD4C87NT1G DataSheet PDF

Техническая спецификация