Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NTLJD4150PTBG
NTLJD4150PTBG Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTLJD4150PTBG

Номер детали производителя NTLJD4150PTBG
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Упаковка 6-WDFN (2x2)
В наличии 5075 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 19/Dec/2008onsemi REACHonsemi RoHSNTLJD4150P
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5075 onsemi NTLJD4150PTBG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-WDFN (2x2)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 4A, 10V
Мощность - Макс 700mW
Упаковка / 6-WDFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 300pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.8A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта NTLJD41

Рекомендуемые продукты

NTLJD4150PTBG DataSheet PDF

Техническая спецификация