Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTJD4105CT1G

Номер детали производителя NTJD4105CT1G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Упаковка SC-88/SC70-6/SOT-363
В наличии 641050 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHSNTJD4105C
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.174 $0.141 $0.096 $0.072 $0.054
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 641050 onsemi NTJD4105CT1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-88/SC70-6/SOT-363
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Мощность - Макс 270mW
Упаковка / 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 46pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 3nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V, 8V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 630mA, 775mA
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта NTJD4105

Рекомендуемые продукты

NTJD4105CT1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTJD4105CT1G

Связанные детали для NTJD4105CT1G