Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTHS2101PT1
NTHS2101PT1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTHS2101PT1

Номер детали производителя NTHS2101PT1
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Упаковка ChipFET™
В наличии 5518 pcs
Техническая спецификация onsemi RoHSMultiple Devices 11/Feb/2009NTHS2101P
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5518 onsemi NTHS2101PT1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ChipFET™
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.3W (Ta)
Упаковка / 8-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2400 pF @ 6.4 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 8 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.4A (Tj)
Базовый номер продукта NTHS21

Рекомендуемые продукты

NTHS2101PT1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTHS2101PT1

Связанные детали для NTHS2101PT1