Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTD4969N-1G
NTD4969N-1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTD4969N-1G

Номер детали производителя NTD4969N-1G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-4
Упаковка I-PAK
В наличии 628032 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 23/Jul/2013onsemi REACHonsemi RoHSNTD4969N
Справочная цена (В долларах США)
1480
$0.071
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 628032 onsemi NTD4969N-1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I-PAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Тип установки Through Hole
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 837 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.4A (Ta), 41A (Tc)
Базовый номер продукта NTD49

Рекомендуемые продукты

NTD4969N-1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTD4969N-1G

Связанные детали для NTD4969N-1G