Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTD4909N-35G
onsemi

NTD4909N-35G

Номер детали производителя NTD4909N-35G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Упаковка I-PAK
В наличии 5151 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 17/Apr/2015onsemi RoHSQualification Multiple Devices 24/Sep/2013NTD4909N
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5151 onsemi NTD4909N-35G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I-Pak
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1314 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.8A (Ta), 41A (Tc)
Базовый номер продукта NTD49

Рекомендуемые продукты

NTD4909N-35G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTD4909N-35G

Связанные детали для NTD4909N-35G