Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTD4860NA-1G
NTD4860NA-1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTD4860NA-1G

Номер детали производителя NTD4860NA-1G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Упаковка I-PAK
В наличии 3831 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 07/Jul/2010onsemi REACHonsemi RoHSNTD4860N
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 3831 onsemi NTD4860NA-1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I-PAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1308 pF @ 12 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 21.8 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Базовый номер продукта NTD48

Рекомендуемые продукты

NTD4860NA-1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTD4860NA-1G

Связанные детали для NTD4860NA-1G