Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTD4809NH-35G
onsemi

NTD4809NH-35G

Номер детали производителя NTD4809NH-35G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Упаковка I-PAK
В наличии 4865 pcs
Техническая спецификация N(T,V)D4809NHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4865 onsemi NTD4809NH-35G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I-Pak
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2155 pF @ 12 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Базовый номер продукта NTD48

Рекомендуемые продукты

NTD4809NH-35G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTD4809NH-35G

Связанные детали для NTD4809NH-35G