Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTD110N02RT4G
NTD110N02RT4G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTD110N02RT4G

Номер детали производителя NTD110N02RT4G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Упаковка DPAK
В наличии 5587 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 08/Jul/2021onsemi RoHSNTD110N02R, STD110N02RMult Devices 29/Aug/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5587 onsemi NTD110N02RT4G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3440 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 24 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Базовый номер продукта NTD110

Рекомендуемые продукты

NTD110N02RT4G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTD110N02RT4G

Связанные детали для NTD110N02RT4G