Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > NTB52N10T4G
NTB52N10T4G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NTB52N10T4G

Номер детали производителя NTB52N10T4G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
Упаковка D²PAK
В наличии 5754 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 07/Jul/2010NTB52N10NTB52N10onsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5754 onsemi NTB52N10T4G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 26A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2W (Ta), 178W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3150 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 52A (Tc)
Базовый номер продукта NTB52

Рекомендуемые продукты

NTB52N10T4G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NTB52N10T4G

Связанные детали для NTB52N10T4G