Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > NSVMMBTH10LT1G
NSVMMBTH10LT1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NSVMMBTH10LT1G

Номер детали производителя NSVMMBTH10LT1G
производитель onsemi
Подробное описание RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Упаковка SOT-23-3 (TO-236)
В наличии 648257 pcs
Техническая спецификация SOT23 27/Sep/2016onsemi REACHonsemi RoHSNSV,S,MMBTH10L(4L)Mold Compound 10/Nov/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 25 100 250 500 1000
$0.166 $0.134 $0.122 $0.091 $0.083 $0.068 $0.051
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 648257 onsemi NSVMMBTH10LT1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 25V
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства SOT-23-3 (TO-236)
Серии -
Мощность - Макс 225mW
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Коэффициент шума (дБ Typ @ F) -
Тип установки Surface Mount
Усиление -
Частота - Переход 650MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
Ток - коллектор (Ic) (Макс) -
Базовый номер продукта NSVMMBTH10

Рекомендуемые продукты

NSVMMBTH10LT1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NSVMMBTH10LT1G

Связанные детали для NSVMMBTH10LT1G