Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > NSV20101JT1G
NSV20101JT1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NSV20101JT1G

Номер детали производителя NSV20101JT1G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS NPN 20V 1A SC89-3
Упаковка SC-89-3
В наличии 172636 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHSNSS20101J
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.552 $0.495 $0.386 $0.319 $0.252
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 172636 onsemi NSV20101JT1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 20 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 220mV @ 100mA, 1A
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства SC-89-3
Серии -
Мощность - Макс 255 mW
Упаковка / SC-89, SOT-490
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 350MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 1 A
Базовый номер продукта NSV20101

Рекомендуемые продукты

NSV20101JT1G DataSheet PDF

Техническая спецификация