Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > NSBC123EF3T5G
NSBC123EF3T5G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NSBC123EF3T5G

Номер детали производителя NSBC123EF3T5G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Упаковка SOT-1123
В наличии 5053 pcs
Техническая спецификация Mult Devices Tape Design 06/Mar/2018Mult Dev EOL 08/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHSMUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5053 onsemi NSBC123EF3T5G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SOT-1123
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 2.2 kOhms
Резистор - основание (R1) 2.2 kOhms
Мощность - Макс 254 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-1123
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта NSBC123

Рекомендуемые продукты

NSBC123EF3T5G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NSBC123EF3T5G

Связанные детали для NSBC123EF3T5G