Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > MUN2211JT1G
MUN2211JT1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MUN2211JT1G

Номер детали производителя MUN2211JT1G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
Упаковка SC-59
В наличии 6580 pcs
Техническая спецификация onsemi RoHSonsemi REACHMult Dev EOL 22/Dec/2017Wafer Source Addition 26/Nov/2014Copper Wire 29/Oct/2009
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6580 onsemi MUN2211JT1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Тип транзистор NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SC-59
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 10 kOhms
Резистор - основание (R1) 10 kOhms
Мощность - Макс 230 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта MUN2211

Рекомендуемые продукты

MUN2211JT1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MUN2211JT1G

Связанные детали для MUN2211JT1G