Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > MJD2955-1G
MJD2955-1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MJD2955-1G

Номер детали производителя MJD2955-1G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PNP 60V 10A IPAK
Упаковка I-PAK
В наличии 5029 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 30/Mar/2012onsemi RoHSMJD2955, MJD3055
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5029 onsemi MJD2955-1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 60 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Тип транзистор PNP
Поставщик Упаковка устройства I-PAK
Серии -
Мощность - Макс 1.75 W
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Частота - Переход 2MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 50µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 10 A
Базовый номер продукта MJD29

Рекомендуемые продукты

MJD2955-1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MJD2955-1G

Связанные детали для MJD2955-1G