Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRLW610ATM
onsemi

IRLW610ATM

Номер детали производителя IRLW610ATM
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Упаковка I2PAK (TO-262)
В наличии 5120 pcs
Техническая спецификация IRLW, I610Aonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5120 onsemi IRLW610ATM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK (TO-262)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 240 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.3A (Tc)
Базовый номер продукта IRLW61

Рекомендуемые продукты

IRLW610ATM DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRLW610ATM

Связанные детали для IRLW610ATM