Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > HGTP10N120BN
HGTP10N120BN Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

HGTP10N120BN

Номер детали производителя HGTP10N120BN
производитель onsemi
Подробное описание IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Упаковка TO-220-3
В наличии 4613 pcs
Техническая спецификация TO220B03 Pkg DrawingTape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSHGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4613 onsemi HGTP10N120BN в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.7V @ 15V, 10A
режим для испытаний 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 23ns/165ns
Переключение энергии 320µJ (on), 800µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии -
Мощность - Макс 298 W
Упаковка / TO-220-3
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Тип IGBT NPT
Заряд затвора 100 nC
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 80 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 35 A
Базовый номер продукта HGTP10

Рекомендуемые продукты

HGTP10N120BN DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для HGTP10N120BN

Связанные детали для HGTP10N120BN