Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Изоляторы > Оптоизоляторы - транзистор, фотоэлектрический выход > H11G2VM
H11G2VM Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

H11G2VM

Номер детали производителя H11G2VM
производитель onsemi
Подробное описание OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Упаковка 6-DIP
В наличии 230195 pcs
Техническая спецификация onsemi RoHSonsemi REACHCylindrical Battery Holders2.73KHzMaterial Declaration H11G2VM
Справочная цена (В долларах США)
1000
$0.202
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 230195 onsemi H11G2VM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - Выход (макс) 80V
Напряжение - Изоляция 4170Vrms
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) 1.3V
Vce Насыщенность (Макс) 1V
Время включения / выключения (тип) 5µs, 100µs
Поставщик Упаковка устройства 6-DIP
Серии -
Время нарастания / спада (Typ) -
Упаковка / 6-DIP (0.300', 7.62mm)
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Тип выхода Darlington with Base
Рабочая Температура -40°C ~ 100°C
Количество каналов 1
Тип установки Through Hole
Тип ввода DC
Коэффициент передачи по току (Min) 1000% @ 10mA
Коэффициент передачи по току (макс) -
Ток - выход / канал -
Ток - постоянный ток (если) (макс.) 60 mA
Базовый номер продукта H11G2

Рекомендуемые продукты

H11G2VM DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для H11G2VM

Связанные детали для H11G2VM