FQU13N06LTU
| Номер детали производителя | FQU13N06LTU |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK |
| Упаковка | I-PAK |
| В наличии | 168845 pcs |
| Техническая спецификация | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSMult Dev Site Add 14/Oct/2020FQD13N06 22/Jul/2016 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $0.324 | $0.291 | $0.227 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 168845 onsemi FQU13N06LTU в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | I-PAK |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 5.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Упаковка / | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQU13N06 |
Рекомендуемые продукты
-
FQU13N06LTU-WS
MOSFET N-CH 60V 11A IPAKonsemi -
FQU10N20LTU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKFairchild Semiconductor -
FQU13N10LTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQU10N20LTU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKonsemi -
FQU10N20TU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKonsemi -
FQU1N50TU
MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAKFairchild Semiconductor -
FQU12N20TU-T
IConsemi -
FQU13N06LTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQU10N20TU_AM002
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKonsemi -
FQU13N10LTU
MOSFET N-CH 100V 10A IPAKonsemi -
FQU13N06TU
MOSFET N-CH 60V 10A IPAKonsemi -
FQU13N10TU
MOSFET N-CH 100V 10A IPAKonsemi -
FQU11P06TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9Fairchild Semiconductor -
FQU11P06TU
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAKonsemi -
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A IPAKonsemi -
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A I-PAKFairchild Semiconductor -
FQU17P06TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQU1N50TU
MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAKonsemi -
FQU17P06TU
MOSFET P-CH 60V 12A IPAKonsemi -
FQU10N20TU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAKFairchild Semiconductor