Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > FQP6N80
FQP6N80 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FQP6N80

Номер детали производителя FQP6N80
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
Упаковка TO-220-3
В наличии 5632 pcs
Техническая спецификация FQP6N80TO220B03 Pkg Drawingonsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5632 onsemi FQP6N80 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220-3
Серии QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 158W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.8A (Tc)
Базовый номер продукта FQP6

Рекомендуемые продукты

FQP6N80 DataSheet PDF

Техническая спецификация