Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > FQI5P10TU
onsemi

FQI5P10TU

Номер детали производителя FQI5P10TU
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
Упаковка I2PAK (TO-262)
В наличии 4473 pcs
Техническая спецификация FQB5P10, FQI5P10onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4473 onsemi FQI5P10TU в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK (TO-262)
Серии QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2.25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 250 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.5A (Tc)
Базовый номер продукта FQI5

Рекомендуемые продукты

FQI5P10TU DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FQI5P10TU

Связанные детали для FQI5P10TU