Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > FQD7N10TM
FQD7N10TM Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FQD7N10TM

Номер детали производителя FQD7N10TM
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Упаковка TO-252AA
В наличии 4178 pcs
Техническая спецификация FQD7N10, FDU7N10onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4178 onsemi FQD7N10TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-252AA
Серии QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 2.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 250 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.8A (Tc)
Базовый номер продукта FQD7

Рекомендуемые продукты

FQD7N10TM DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FQD7N10TM

Связанные детали для FQD7N10TM