FQB19N20TM
| Номер детали производителя | FQB19N20TM |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK |
| Упаковка | D²PAK (TO-263) |
| В наличии | 79477 pcs |
| Техническая спецификация | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FQB19N20 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $0.743 | $0.666 | $0.535 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 79477 onsemi FQB19N20TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263) |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.7A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 19.4A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQB19N20 |
Рекомендуемые продукты
-
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAKonsemi -
FQB19N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB1N60TM
MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAKonsemi -
FQB19N20CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAKonsemi -
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB20N06TM
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAKonsemi -
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAKonsemi -
FQB1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAKonsemi -
FQB20N06TM
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB19N20CTM
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAKonsemi -
FQB24N08TM
MOSFET N-CH 80V 24A D2PAKonsemi -
FQB22P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKonsemi -
FQB17P06TM
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAKonsemi -
FQB20N06LTM
MOSFET N-CH 60V 21A D2PAKFairchild Semiconductor -
FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKonsemi -
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAKonsemi -
FQB19N10TM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAKonsemi -
FQB20N06LTM
MOSFET N-CH 60V 21A D2PAKonsemi