Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > FQB10N20TM
FQB10N20TM Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FQB10N20TM

Номер детали производителя FQB10N20TM
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 4762 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4762 onsemi FQB10N20TM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) -
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 670 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Tc)
Базовый номер продукта FQB1

Рекомендуемые продукты

FQB10N20TM DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FQB10N20TM

Связанные детали для FQB10N20TM