Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > FDR8702H
FDR8702H Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

FDR8702H

Номер детали производителя FDR8702H
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
Упаковка SuperSOT™-8
В наличии 4479 pcs
Техническая спецификация FDR8702Honsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4479 onsemi FDR8702H в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SuperSOT™-8
Серии PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Мощность - Макс 800mW
Упаковка / 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 650pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.6A, 2.6A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта FDR87

Рекомендуемые продукты

FDR8702H DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FDR8702H

Связанные детали для FDR8702H