FDMS001N025DSD

Номер детали производителя	FDMS001N025DSD
производитель	onsemi
Подробное описание	MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
Упаковка	8-PQFN (5x6)
В наличии	4484 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev EOL 8/Apr/2021 onsemi REACH onsemi RoHS Gate Leadpost Dimension Change 01/Sep/2021 Lead Frame Design 11/Nov/2020 FDMS001N025DSD

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4484 onsemi FDMS001N025DSD в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-PQFN (5x6)
Серии	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25mOhm @ 19A, 10V, 920µOhm @ 38A, 10V
Мощность - Макс	2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Упаковка /	8-PowerWDFN
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	30nC @ 10V, 104nC @ 10V
FET Характеристика	-
Слить к источнику напряжения (VDSS)	25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
конфигурация	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Базовый номер продукта	FDMS001