Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > FDMJ1032C
onsemi

FDMJ1032C

Номер детали производителя FDMJ1032C
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
Упаковка SC-75, MicroFET
В наличии 6143 pcs
Техническая спецификация FDMJ1032CMultiple Devices 03/Dec/2009onsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6143 onsemi FDMJ1032C в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SC-75, MicroFET
Серии PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Мощность - Макс 800mW
Упаковка / 6-WFDFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 270pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 3nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.2A, 2.5A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта FDMJ1032

Рекомендуемые продукты

FDMJ1032C DataSheet PDF

Техническая спецификация