Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > FDMB506P
onsemi

FDMB506P

Номер детали производителя FDMB506P
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Упаковка 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
В наличии 5804 pcs
Техническая спецификация FDMB506Ponsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5804 onsemi FDMB506P в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Серии PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.9W (Ta)
Упаковка / 8-PowerWDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2960 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6.8A (Ta)
Базовый номер продукта FDMB50

Рекомендуемые продукты

FDMB506P DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FDMB506P

Связанные детали для FDMB506P