Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > FDI2532
onsemi

FDI2532

Номер детали производителя FDI2532
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Упаковка I2PAK (TO-262)
В наличии 3978 pcs
Техническая спецификация FDB,P,I2532onsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 3978 onsemi FDI2532 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK (TO-262)
Серии PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 33A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 310W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5870 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 107 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A (Ta), 79A (Tc)
Базовый номер продукта FDI2532

Рекомендуемые продукты

FDI2532 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для FDI2532

Связанные детали для FDI2532