Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > FDC6301N_G
onsemi

FDC6301N_G

Номер детали производителя FDC6301N_G
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Упаковка SuperSOT™-6
В наличии 6285 pcs
Техническая спецификация Mult Device EOL 19/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6285 onsemi FDC6301N_G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SuperSOT™-6
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Мощность - Макс 700mW
Упаковка / SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9.5pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 220mA
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта FDC6301

Рекомендуемые продукты

FDC6301N_G DataSheet PDF

Техническая спецификация