Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > EFC4618R-P-TR
EFC4618R-P-TR Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

EFC4618R-P-TR

Номер детали производителя EFC4618R-P-TR
производитель onsemi
Подробное описание MOSFET 2N-CH EFCP1818
Упаковка EFCP1818-4CC-037
В наличии 5336 pcs
Техническая спецификация Mult Devices 28/Apr/2017onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5336 onsemi EFC4618R-P-TR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства EFCP1818-4CC-037
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Мощность - Макс 1.6W
Упаковка / 4-XFBGA, FCBGA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25.4nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate, 2.5V Drive
Слить к источнику напряжения (VDSS) -
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C -
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Базовый номер продукта EFC4618

Рекомендуемые продукты

EFC4618R-P-TR DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для EFC4618R-P-TR

Связанные детали для EFC4618R-P-TR