Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > 2SK536-TB-E
Sanyo

2SK536-TB-E

Номер детали производителя 2SK536-TB-E
производитель Sanyo
Подробное описание N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
Упаковка 3-CP
В наличии 6811 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Sanyo.У нас есть кусочки 6811 Sanyo 2SK536-TB-E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id -
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 3-CP
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 10mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 200mW (Ta)
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 125°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 15 pF @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 50 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100mA (Ta)

Рекомендуемые продукты

2SK536-TB-E DataSheet PDF

Ключевые слова для 2SK536-TB-E

Связанные детали для 2SK536-TB-E