Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > 2SD1816T-E
2SD1816T-E Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

2SD1816T-E

Номер детали производителя 2SD1816T-E
производитель onsemi
Подробное описание TRANS NPN 100V 4A TP
Упаковка TP
В наличии 6302 pcs
Техническая спецификация 2SB1216/2SD18161Q2018 Product EOL 31/Mar/2018onsemi REACHonsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6302 onsemi 2SD1816T-E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 100 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 400mV @ 200mA, 2A
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства TP
Серии -
Мощность - Макс 1 W
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Частота - Переход 180MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 1µA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 4 A
Базовый номер продукта 2SD1816

Рекомендуемые продукты

2SD1816T-E DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для 2SD1816T-E

Связанные детали для 2SD1816T-E