Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > 2SC5551AE-TD-E
onsemi

2SC5551AE-TD-E

Номер детали производителя 2SC5551AE-TD-E
производитель onsemi
Подробное описание RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Упаковка PCP
В наличии 4585 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 30/Sep/2022onsemi RoHS2SC5551A
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4585 onsemi 2SC5551AE-TD-E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 30V
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства PCP
Серии -
Мощность - Макс 1.3W
Упаковка / TO-243AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Коэффициент шума (дБ Typ @ F) -
Тип установки Surface Mount
Усиление -
Частота - Переход 3.5GHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 50mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 300mA
Базовый номер продукта 2SC5551

Рекомендуемые продукты

2SC5551AE-TD-E DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для 2SC5551AE-TD-E

Связанные детали для 2SC5551AE-TD-E